BY296 ... by299 BY296 ... by299 fast silicon rectifier diodes C schnelle silizium-gleichrichterdioden version 2010-03-30 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 2 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 100...800 v plastic case kunststoffgeh?use ~ do-201 weight approx. gewicht ca. 0.8 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] BY296 100 100 by297 200 200 by298 400 400 by299 800 800 max. average forward rectified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t a = 50c i fav 2 a 1 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 20 a 1 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 70/80 a rating for fusing, grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 24 a 2 s junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+175c 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand von geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 t y p e ? 1.2 0.05 ? 4.5 6 2 . 5 0 . 5 7 . 5 0 . 1 +0.1 - 0.3
BY296 ... by299 characteristics kennwerte forward voltage C durchlass-spannung t j = 25c i f = 3 a v f < 1.3 v leakage current C sperrstrom t j = 25c v r = v rrm i r < 10 a forward recovery time durchlassverzugszeit i f = 100 ma t fr < 1.0 s reverse recovery time sperrverzugszeit i f = 0.5 a through/ber i r = 1 a to/auf i r = 0.25 a t rr < 500 ns thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 25 k/w 1 ) thermal resistance junction to leads w?rme widerstand sperrschicht C anschlussdraht r thl < 10 k/w 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand von geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag rated forward current versus ambient temperature ) zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. ) 1 1 i fav [%] 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 0.8 1.0 1.2 1.4 1.8 [v] v f t = 25c j t = 125c j 70a-(3a-1.3v)
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